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联讯课堂 | 源表在硅光领域的测试与应用

2026.03.04

随着5G通信和人工智能应用的快速发展，传统光模块在传输速率、功耗控制和集成度等方面面临更高要求。硅光技术凭借其CMOS工艺高集成度和低成本优势，逐步成为光通信系统发展的重要方向。

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SiC KGD：从技术瓶颈到解决方案的全面剖析

2025.11.14

在绿色能源转型的驱动下，碳化硅半导体已成为提升能效的关键技术。随之而来的是，已知良好芯片(KGD)测试已从传统的质量控制转变为保障高价值功率模块良率的核心环节。本文剖析了SiC KGD测试的必要性，追溯了由电动汽车等市场应用引发的经济驱动力，重点分析了从常温测试向量产化高温、短路测试演进的技术瓶颈，并探讨了现行市场中的相应测试解决方案。

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联讯课堂 | 硅光晶圆测试的关键核心：高性能光学耦合方案解析

2025.10.13

目前业界主要采用三种耦合方案：表面垂直耦合的光栅耦合、边缘水平对接的端面耦合，以及集二者所长的混合方案。针对几种主流耦合方式，whoscored足球数据网sCT900x硅光晶圆测试系统提供了完整的测试解决方案，全面覆盖不同工艺平台的测试需求。

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WBG半导体器件动态测试方法研究

2025.08.01

WBG半导体器件（SiC、GaN等）相较于传统硅基器件展现出卓越的性能优势，包括更高的工作频率、更低的开关损耗，优异的高温工作能力以及出色的耐压特性等。为确保SiC等器件长期稳定可靠的工作，业界实施了严苛的生产测试方式，包括长时间老化（HTGB和HTRB）、动态和静态测试，以及KGD测试等。

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解决方案 | whoscored足球数据网误码仪产品线：助力高速通信测试

2025.07.15

whoscored足球数据网PBT3058针对性地提供了丰富的测试功能项，实现了最新协议要求的测试速率、码型、FEC纠错分析、更强的信号调理单元，以及自动均衡训练算法。我们将BERT端口以Remote Head形式做成射频选件，尽可能保证测试链路的低损耗，以及硬件选件的灵活组合。

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源表应用拓展：四探针法测电阻率

2025.06.13

在半导体工业和研究领域，准确测量半导体材料的电阻率对于优化器件设计和生产工艺至关重要。四探针法（Four-Point Probe）作为一种经典的电学测量方法，被广泛应用于半导体材料的电阻率测量。本文将深入探讨四探针法的原理、应用及其在源表技术中的重要性。

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揭示碳化硅器件可靠性：HTGB/HTRB老化特性与失效模式解析

2025.05.27

碳化硅（SiC）MOSFET作为新一代宽禁带半导体器件，正在引领电力电子技术的革命性发展。相较于传统硅基器件，SiC MOSFET展现出显著的技术优势：其禁带宽度是硅材料的3倍，临界电场强度高出近一个数量级，这使得器件可以采用更薄且高掺杂的漂移层设计，从而大幅降低导通电阻、提升能量转换效率并减少热损耗。

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联讯课堂|晶圆允收测试 (WAT)概述

2025.03.21

WAT（晶圆允收测试）是晶圆制造过程中至关重要的过程控制监测（PCM）工具，在半导体产品质量和良率方面发挥着决定性作用。它能够提供局部（晶圆特定）和全局（晶圆到批次或批次到批次）的统计数据，为制造过程的优化提供关键支持

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浅析光通速率提升的3个维度

2025.02.10

当前，实现1.6Tbps速率的技术主要采用200Gbps/lane的方案，且未来有望进一步提升。为了探索更高速率的实现路径，我们可以从改进调制方式、提升符号速率以及增加单根光纤中的波长或光纤数量这三个维度进行思考和讨论

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